第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术

国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项

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“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”项目启动会在南京大学召开

2016/11/3 12:02:52    

        2016年10月30日,国家重点研发计划项目“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”启动会在南京大学鼓楼校区顺利召开。

        本项目由南京大学牵头,成员单位包括华中科技大学、东南大学、清华大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中科院长春光机所、江苏新广联半导体有限公司、思源电气有限公司、青岛杰生电气有限公司等合计14家国内在该领域的优势单位共同承担。科技部高技术中心材料处史冬梅处长、杨斌项目主管、南京大学潘毅副校长、南京大学郑有炓院士、西安电子科技大学郝跃院士、中国科学院长春光机所王立军院士及有关专家和项目参与人员共计40余人参加会议。会议由项目负责人南京大学陆海教授主持。


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        以碳化硅(SiC)和族氮化物为代表的宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料,具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点,用于工作在紫外波段的光电探测器件,具有显著的材料性能优势。本项目面向量子信息、医学成像、深空探测和国防预警等应用,计划开展高增益、低噪音AlGaN基日盲雪崩光电探测器、SiC紫外单光子探测器、相关成像阵列及紫外成像系统研究;通过从材料生长到器件研制、再到系统集成和应用演示的全链条、一体化技术攻关研究,有力推动宽禁带半导体紫外探测技术的实用化进程。为了加速项目的实施和成果转化,项目分别成立了咨询专家组和管理工作组。

        会议期间,南京大学潘毅副校长代表学校致欢迎词,科技部史冬梅处长就国家重点专项的部署和管理进行了讲解。

        陆海教授及各课题负责人就项目拟解决的关键科学技术问题、主要研究内容、团队分工及最新工作进展分别进行了汇报。重点专项分为四个子课题,课题一由华中科技大学陈长清教授实验室承担,主要负责生长低缺陷密度、厚度均匀的高Al组分AlGaN材料,和低缺陷密度、厚度精确可控、掺杂均匀的SiC材料;课题二的负责人是陆海教授,主要实现高探测效率SiC紫外单光子探测器及其多元成像器件,和实现高增益AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器;课题三由南京大学陈敦军教授负责,旨在建立材料和物理参数等因素与器件性能的关联模型,为材料生长和器件结构设计优化提供理论依据。课题四的负责人为东南大学的孙伟峰教授,实现高性能SiC APD紫外单光子探测线阵,研究光子计数阵列读出电路设计方法,在此基础上,研制光子计数紫外线阵成像仪,并探索其高压电晕监测等方面的应用。

  与会咨询专家针对项目实施过程中的应用需求分析、实施方案、项目管理和人才培养等几个方面提出了指导性建议。西安电子科技大学郝跃院士强调,项目的实施,既要注意实际应用,也要注重理论探索,要将两者有机的结合起来,建立一套完整的理论体系和工艺制程,规范科研流程,提高产品的稳定性,实现我国在第三代半导体紫外探测材料及器件领域,从与国际同行并跑到领跑的跨越。科技部杨斌项目主管做了总结发言,对项目前期工作给予了肯定,并就项目实施提出了具体要求,希望各个子课题的负责单位,明确各自责任,通力合作,结合应用实际,充分考虑用户对产品性能的要求,研发出灵敏高效的紫外探测器,有力的增强我国深空探测的实力。 

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