第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术

国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项

项目概况
以碳化硅和氮化物为代表的宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料,具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点,用于工作在紫外波段的光电探测器件,具有显著的材料性能优势。我国在宽禁带半导体材料和固态紫外探测研究领域具有良好的基础,与国际先进水平同步。面向新的应用需求和科学技术的发展,迫切要求在宽禁带半导体雪崩光电探测器技术领域取得新的突破,以适应信息技术发展和国家安全的重大需要,这就要求我们对固态紫外探测技术的科学和核心技术问题进行深入系统地研究,实现技术跨越。本项目面向量子信息、医学成像、深空探测和国防预警等应用,计划开展高增益、低噪音AlGaN基日盲APD、SiC紫外单光子探测器、相关成像阵列及紫外成像系统研究;通过从材料生长到器件研制、再到系统集成和应用演示的全链条、一体化技术攻关研究,有力推动宽禁带半导体紫外探测技术的实用化进程。项目的… >>了解详细内容

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