第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术

国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项

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课题一:宽禁带半导体雪崩光电探测器外延关键技术

研究目标:

通过材料外延生长动力学研究、外延生长工艺开发、测试表征和相关材料物理问题的深入研究,实现低缺陷密度、厚度均匀的高Al组分AlGaN材料,和低缺陷密度、厚度精确可控、掺杂均匀的SiC材料,为课题二提供高质量的AlGaN日盲紫外APDSiC紫外APD外延材料。

 

主要研究内容:

1.纳米图形化AlN模板的制备和高质量高Al组分AlGaN的外延生长

2.Al组分AlGaN的杂质行为调控及高效p型掺杂

3.SiC外延缺陷衍生机理及表征控制技术

4.高掺杂均匀性、低厚度容差SiC外延生长技术

 

拟解决的重大科学问题或关键技术问题:

1.大失配高Al组分AlGaN的外延生长动力学和缺陷控制

2.Al组分AlGaN的杂质行为调控和高效p型掺杂

3.台阶流生长模式下SiC的外延生长动力学和缺陷控制

4.SiC的外延厚度精确控制和高均匀性p型掺杂

 

参加单位任务分工:

课题负责人:陈长清 教授

承担单位:华中科技大学、中山大学、青岛杰生电气有限公司、中国电子科技集团公司五十五研究所、东莞市天域半导体科技有限公司

 




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