第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术

国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项

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课题二:高增益紫外雪崩光电探测器与成像芯片制备技


研究目标:

通过器件结构设计、工艺开发、测试表征、和相关工艺与器件物理问题的深入研究,实现高探测效率SiC紫外单光子探测器及其多元成像器件,和实现高增益AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器。

 

主要研究内容:

1.高增益低暗电流宽禁带半导体APD的结构设计研究

2.宽禁带半导体APD的器件工艺与相关材料物理问题研究

3.高增益宽禁带半导体SiCAlGaN基APD的研制

4.紫外探测多元成像器件的工艺开发研究

 

拟解决的重大科学问题或关键技术问题:

1.高增益宽禁带半导体APD的数值设计精度问题

2.宽禁带半导体紫外APD的综合性能提高问题

3.单光子探测APD的高置信度测试问题

 

参加单位任务分工:

课题负责人:陆海 教授

承担单位:南京大学、中国电子科技集团公司55研究所、西安交通大学、江苏新广联半导体有限公司

 

 


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